美國(guó)商務(wù)部限制半導(dǎo)體材料金剛石概念股出口：美國(guó)時(shí)間8 與12 日，美國(guó)商務(wù)部宣布從8 月15 日開(kāi)始對(duì)四項(xiàng)技術(shù)加入商業(yè)管制清單，開(kāi)始限制其出口，這四項(xiàng)技術(shù)分別是寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵（Ga2O3）和金剛石概念股；開(kāi)發(fā)GAAFET（全柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）結(jié)構(gòu)集成電路的ECAD 軟件和壓力增益燃燒技術(shù)（PGC）。

 

    不僅僅是培育鉆石，CVD 法工業(yè)金剛石還可用于半導(dǎo)體材料：CVD 法的人造金剛石除了在消費(fèi)端用于寶石級(jí)的鉆石外，還能在工業(yè)上作為高端半導(dǎo)體材料，相較于其他半導(dǎo)體材料，金剛石半導(dǎo)體材料的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在更高的載流子遷移率、更高的擊穿電場(chǎng)、更大的熱導(dǎo)率，可以滿足未來(lái)大功率、強(qiáng)電場(chǎng)和抗輻射等方面的需求，是制作功率半導(dǎo)體器件的理想材料。未來(lái)應(yīng)用場(chǎng)景廣闊。

 

    半導(dǎo)體金剛石材料主要通過(guò)MPCVD 技術(shù)路徑，我國(guó)目前在該場(chǎng)景應(yīng)用仍處于發(fā)展早期：在人造金剛石的各種生產(chǎn)方法中，MPCVD 無(wú)極放電、無(wú)污染、外延可控性強(qiáng)，在大尺寸、高純度金剛石制備與摻雜研究方面優(yōu)勢(shì)更明顯，因此金剛石半導(dǎo)體材料大多通過(guò)MPCVD 技術(shù)路徑。

 

    目前中兵紅箭CVD 技術(shù)已經(jīng)取得突破，單爐MPCVD 設(shè)備可生長(zhǎng)14 顆10 克拉以上的單晶毛坯，生長(zhǎng)速率11μm/h 以上，沃爾德在金剛石功能材料概念股超過(guò)15 年的技術(shù)儲(chǔ)備和研究，部分產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始實(shí)現(xiàn)商業(yè)化，四方達(dá)的MPCVD 法培育鉆石已經(jīng)在逐步投產(chǎn)，已實(shí)現(xiàn)對(duì)外實(shí)際銷售。國(guó)機(jī)精工新型高功率MPCVD 法大單晶金剛石項(xiàng)目已在逐步投產(chǎn)中。

 

    投資建議：CVD 工業(yè)金剛石概念股憑借其更強(qiáng)的高溫高壓耐受性能，在半導(dǎo)體領(lǐng)域有較大的應(yīng)用潛力，不僅僅是培育鉆石，國(guó)內(nèi)CVD 工業(yè)金剛石概念股頭部企業(yè)將有望迎來(lái)更廣闊的的市場(chǎng)空間，推薦中兵紅箭，建議關(guān)注沃爾德，四方達(dá)和國(guó)機(jī)精工。

 

    風(fēng)險(xiǎn)提示： CVD 工業(yè)金剛石產(chǎn)能龍頭股推廣不及預(yù)期，商業(yè)化進(jìn)程不及預(yù)期等

 

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